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| Artikelnummer: | EPC2010 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | GANFET N-CH 200V 12A DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $8.2428 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 5V |
| Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) |
| Grundproduktnummer | EPC20 |
| EPC2010 Einzelheiten PDF [English] | EPC2010 PDF - EN.pdf |




EPC2010
epc ist ein hochwertiger Distributor der eGaN®-Marke und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der EPC2010 ist ein Hochleistungs-Leistungstransistor im Die-Wear-Format, basierend auf Gallium-Nitrid (GaN)-Technologie, im Leistungsmodus.
N-Kanal GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor)
200V Drain-Source-Spannung
12A Dauer-Drahtstrom
Geringer On-Widerstand von 25mΩ
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringe Gate-Ladung von 7,5nC
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 125 °C
Höhere Effizienz und Leistungsdichte
Reduzierte Systemgröße und Gewicht
Verbesserte thermische Verwaltung
Überlegene Leistung im Vergleich zu silikonbasierten MOSFETs
Diepackung im Die-Format
Das EPC2010 ist bei Digi-Key kein verfügbares Produkt mehr. Kunden werden gebeten, unser Vertriebsteam über unsere Webseite bezüglich gleichwertiger oder alternativer Modelle zu kontaktieren.
Energieumwandlung
Motorsteuerungen
Energiespeichersysteme
RFund Mikrowellenanwendungen
Das autoritativste Datenblatt für den EPC2010 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebot auf unserer Webseite anzufordern. Anfrage stellen | Mehr erfahren | Begrenztes Angebot
GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 200V 3A DIE
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
GANFET N-CH 40V 53A DIE
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
EPC SMD
SENSOR PHOTODIODE 850NM
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