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| Artikelnummer: | EPC2001C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.889 |
| 200+ | $2.2799 |
| 500+ | $2.2001 |
| 1000+ | $2.1602 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 25A, 5V |
| Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36A (Ta) |
| Grundproduktnummer | EPC20 |
| EPC2001C Einzelheiten PDF [English] | EPC2001C PDF - EN.pdf |




EPC2001C
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für EPC-Markenprodukte und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der EPC2001C ist eine Hochleistungs-, Enhancemode-, Gallium-Nitrid-(GaN®)-Feldeffekttransistor (FET) in einem Gehäuse mit 11-Lötstangen, konzipiert für Hochfrequenz- und hocheffiziente Leistungselektronik.
GaNFET-Technologie (Gallium-Nitrid)
N-Kanal Enhancemode-FET
100V Drain-Source-Spannung (Vdss)
36A Dauer-Drainstrom (ID) bei 25°C
Maximaler On-Widerstand (RDS(on)) von 7 Milliohm bei 25A, 5V
Maximale Gate-Spannung (Vgs(th)) von 2,5V bei 5mA
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 9nC bei 5V
Maximaler Eingangskapazität (Ciss) von 900pF bei 50V
Betriebstemperaturbereich: -40°C bis 150°C
Verbesserte Effizienz und Leistungsdichte bei Hochfrequenzwandlung
Reduktion von Systemgröße und Kosten im Vergleich zu Siliziumlösungen
Robuste und zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen
Verpackungsart: Tape & Reel (TR)
Gehäusetyp: Gehäuse mit 11-Lötstangen (Die Outline)
Thermische Eigenschaften und elektrische Parameter sind für Hochfrequenzund Hochleistungsanwendungen optimiert
Der EPC2001C ist ein aktiv genutztes Produkt. Es sind vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
Hochfrequenz-Leistungselektronik
Netzteile
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler (DC-DC)
Class-D-Audioverstärker
RF-Leistungsverstärker
Drahtlose Energieübertragung
Das offizielle Datenblatt für den EPC2001C ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
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GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
IC CONFIG DEVICE
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
SENSOR PHOTODIODE 850NM
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
GANFET N-CH 200V 3A DIE
GANFET N-CH 200V 12A DIE
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EPC2001CEPC |
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