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| Artikelnummer: | DMN2008LFU |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | DIODES |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.5245 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |




DMN2008LFU
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von DIODES-Markenprodukten und engagiert sich dafür, Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen anzubieten.
Der DMN2008LFU ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand, der für den Einsatz in der Energieverwaltung, Lastschaltung und anderen Anwendungen der Leistungsumwandlung entwickelt wurde.
Geringer On-Widerstand von 8,0 Milliohm im Durchschnitt
Weites Spannungsbereich von 20V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kompaktes DFN3333-8 Gehäuse
Hervorragende Energieeffizienz und thermische Performance
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Platzsparendes Format für eng beieinander liegende Bauweisen
Der DMN2008LFU ist in einem DFN3333-8 Gehäuse verpackt, einem kleinen, thermisch effizienten Oberflächenmontage-Gehäuse. Die Abmessungen sind 3,3mm x 3,3mm x 0,85mm, mit 8 Pins im 0,5mm Raster.
Der DMN2008LFU ist ein aktiv geführtes Produkt und befindet sich nicht in der Auslaufphase. Es gibt gleichwertige und alternative Modelle wie den DMN2009LFU und den DMN2010LFU, die ähnliche Leistungsmerkmale aufweisen.
Energieverwaltungsschaltungen
Lastschaltanwendungen
Systeme der Leistungsumwandlung
Geräte mit Batteriebetrieb
Das technisch umfassendste Datenblatt für den DMN2008LFU steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt auf der Produktseite für vollständige technische Details herunterzuladen.
Kunden sollten auf der Y-IC-Website ein Angebot für den DMN2008LFU anfordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und schnellen Lieferzeiten zu profitieren.
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
DIODES QFN
DMN2009LSS-13-F DIODES
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
DIODES POWERDI5060-8
MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
DMN2009LSS DIODES
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
DIODES DFN
MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
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Zielpreis (USD)
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