Deutsch

| Artikelnummer: | DMN2009LSS-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5015 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2555 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58.3 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN2009 |
| DMN2009LSS-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN2009LSS-13 PDF - EN.pdf |




DMN2009LSS-13
Diodes Incorporated
Der DMN2009LSS-13 ist ein N-Kanal-MOSFET von Diodes Incorporated. Er zeichnet sich durch geringe On-Widerstände, schnelles Schalten und hohe Zuverlässigkeit aus.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 20V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 12A
Geringer On-Widerstand: 8mΩ bei 12A, 10V
Schnelles Schalten
Hohe Zuverlässigkeit
Effiziente Stromumwandlung
Verbesserte Systemleistung
Zuverlässiger Betrieb
Spulen & Streifen (Tape & Reel)
8-SOIC-Gehäuse (0,154", 3,90mm Breite)
Oberflächenmontage
Das DMN2009LSS-13 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, jedoch sollten Kunden unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen kontaktieren.
Energiemanagement
Motorsteuerung
Schaltkreise
Audiound Videogeräte
Industrielle Elektronik
Das umfassendste Datenblatt für den DMN2009LSS-13 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Jetzt Angebot anfordern | Mehr erfahren | Begrenztes Angebot
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
DMN2009LSS DIODES
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMN2009LSS-13-F DIODES
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
DIODES POWERDI5060-8
MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/01/22
2024/12/30
2025/02/27
2025/01/24
DMN2009LSS-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|