Deutsch

| Artikelnummer: | ZXMN6A09DN8TC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 8.2A, 10V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.3A |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | ZXMN6 |
| ZXMN6A09DN8TC Einzelheiten PDF [English] | ZXMN6A09DN8TC PDF - EN.pdf |




ZXMN6A09DN8TC
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Diodes-Marke. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der ZXMN6A09DN8TC ist ein dualer N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel-Gate. Er wurde für verschiedene Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement und Schaltungstechnik entwickelt.
60V Drain-Source-Spannung (Vdss)
4,3A Dauer-Drain-Strom (ID) bei 25°C
Maximaler On-Widerstand (RDS(on)) von 40mΩ bei 8,2A und 10V
Maximaler Gate-Threshold-Spannung (Vgs(th)) von 3V bei 250μA
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 24,2nC bei 5V
Maximaler Eingangskapazitanz (Ciss) von 1407pF bei 40V
Maximaler Leistungsverbrauch von 1,25W
Hervorragende Leistung im Bereich Leistungsmanagement und Schaltanwendungen
Effiziente Energieübertragung mit geringem On-Widerstand
Zuverlässiger Betrieb über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis 150°C
Der ZXMN6A09DN8TC ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (Breite 3,90 mm) Oberflächenmontage verpackt.
Der ZXMN6A09DN8TC ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Webseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu möglichen Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Stromversorgungsschaltungen
Schaltanwendungen
Automobiltechnik
Industrielle Steuerungssysteme
Das offizielle Datenblatt für den ZXMN6A09DN8TC ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden gebeten, ein Angebot für den ZXMN6A09DN8TC über unsere Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder informieren Sie sich über dieses Produkt und unsere weiteren Angebote.
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Z SOT223-3
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
ZXMN6A09GTC Z
ZXMN6A08K DIODES
DIODES SOT-223
ZETEX TO-252
ZXMN6A09DN8 Diodes
ZXMN6A09K DIODES
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
ZXMN6A09G DIODES
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
DIODES SOT-223
DIODES SOT223
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/22
2024/12/30
2025/02/27
2025/01/24
ZXMN6A09DN8TCDiodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|