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| Artikelnummer: | ZXMHC6A07N8TC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.1655 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.8A, 10V |
| Leistung - max | 870mW |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 166pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.39A, 1.28A |
| Konfiguration | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| Grundproduktnummer | ZXMHC6A07 |
| ZXMHC6A07N8TC Einzelheiten PDF [English] | ZXMHC6A07N8TC PDF - EN.pdf |




ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
Der ZXMHC6A07N8TC ist eine Dual-N-Kanal- und Dual-P-Kanal-MOSFET-Array in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse. Er verfügt über eine Logik-Level-Gate, niedrigen On-Widerstand und geringe Gate-Ladung.
Duales N-Kanalund P-Kanal-MOSFET-Array
Logik-Level-Gate
Geringer On-Widerstand
Niedrige Gate-Ladung
Effiziente Leistungsschaltung
Ideal für platzbegrenzte Anwendungen
Einfache Steuerung und Ansteuerung
Band und Reel Verpackung
8-poliges SOIC-Gehäuse (0,154" / 3,90 mm Breite)
Oberflächenmontagegehäuse
Der ZXMHC6A07N8TC ist ein aktives Produkt. Derzeit liegen keine bekannten gleichwertigen oder alternativen Modelle vor. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
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