Deutsch

| Artikelnummer: | DMP1018UCB9-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | U-WLB1515-9 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 2A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 9-UFBGA, WLBGA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 457 pF @ 6 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.6A (Ta) |
| DMP1018UCB9-7 Einzelheiten PDF [English] | DMP1018UCB9-7 PDF - EN.pdf |




DMP1018UCB9-7
Diodes Incorporated. Y-IC ist ein Qualitätsvertrieb der Marke Diodes Incorporated und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DMP1018UCB9-7 ist ein P-Kanal-MOSFET von Diodes Incorporated.
P-Kanal-MOSFET
MOSFET (Metalloxid-Halbleiter) Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 12 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 7,6 A bei 25°C
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) von 2,5 V, 4,5 V
On-Widerstand (Rds On) von 18 mOhm bei 2 A, 4,5 V
Schwellenspannung (Vgs(th)) von 1,3 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) von 4,9 nC bei 4,5 V
Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs) von -6 V
Eingangs-Kapazität (Ciss) von 457 pF bei 6 V
Verlustleistung von 1 W bei Umgebungstemperatur
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effizientes Schaltempower
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand
Weitreichender Betriebstemperaturbereich
9-UFBGA, WLBGA-Gehäuse
Oberflächenmontage
Das Produkt DMP1018UCB9-7 ist veraltet. Kunden wird empfohlen, sich über unsere Website an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Energiemanagement
Schaltkreise
Motorsteuerung
Telekommunikation
Das zuverlässigste Datenblatt für den DMP1018UCB9-7 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den DMP1018UCB9-7 auf unserer Website einzuholen. Jetzt anfragen, mehr erfahren oder von unserem zeitlich begrenzten Angebot profitieren.
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
DMP1018UCB9 DIODES
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DIODES DFN
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
DIODES QFN
DMP1012UCB9 DIODES
MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
DMP1012UFDF DIODES
MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
DMP1022UFDF DIODES
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
DMP1022UFDE DIODES
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
DMP1018UCB9-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|