Deutsch
| Artikelnummer: | DMN61D9UDW-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0173 |
| 10+ | $0.017 |
| 30+ | $0.0168 |
| 150+ | $0.0166 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-363 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Leistung - max | 320mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28.5pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 350mA |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | DMN61 |
| DMN61D9UDW-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN61D9UDW-7 PDF - EN.pdf |




DMN61D9UDW-7
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Diodes Incorporated, einem weltweit führenden Hersteller hochwertiger Halbleiter.
Der DMN61D9UDW-7 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 350mA. Er ist für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen konzipiert.
Dualer N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung von 60V\nKontinuierlicher Drain-Strom von 350mA\nGeringer On-Widerstand von 2Ω bei 50mA, 5V\nNiedrige Gate-Schwellen-Spannung von 1V bei 250µA\nGeringe Gate-Ladung von 0,4nC bei 4,5V\nNiedrige Eingangskapazität von 28,5pF bei 30V\nLeistungsfähigkeit von 320mW\nBetriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effizientes Schaltverhalten\nGeringer Stromverbrauch\nZuverlässiger Betrieb über einen breiten Temperaturbereich\nKompakte Oberflächenmontagegehäuse
Der DMN61D9UDW-7 ist in einem 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Oberflächenmontagegehäuse verpackt.
Der DMN61D9UDW-7 ist ein auslaufendes Produkt. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Vertriebsteams auf der Y-IC-Website nach Ersatz- oder Alternativmodellen zu erkundigen.
Allgemeine Schaltund Verstärkerschaltungen\nEnergiemanagementsysteme\nTragbare Elektronik\nIndustrielle Steuerungssysteme
Das aktuellste Datenblatt für den DMN61D9UDW-7 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden geraten, Angebote für den DMN61D9UDW-7 auf der Y-IC-Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an und erfahren Sie mehr über unsere wettbewerbsfähigen Preise und zuverlässige Lieferungen.
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
DMN61D9UDW DIODES
DIODES SOT-23
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
DMN61D9UW DIODES
DMN61D9U DIODES
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
DMN61D8LVTQ DIODES
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
DIODES SOT-323
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
DMN61D9UWQ DIODES
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/04/27
2025/01/15
2024/04/13
2025/06/16
DMN61D9UDW-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|