Deutsch

| Artikelnummer: | DMN61D8LVT-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.2817 |
| 50+ | $0.2236 |
| 150+ | $0.1987 |
| 500+ | $0.1675 |
| 3000+ | $0.1537 |
| 6000+ | $0.1454 |
| 9000+ | $0.1436 |
| 21000+ | $0.1425 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TSOT-26 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Leistung - max | 820mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 630mA |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | DMN61 |
| DMN61D8LVT-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN61D8LVT-7 PDF - EN.pdf |




DMN61D8LVT-7
Diodes Incorporated. Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Markenprodukte von Diodes Incorporated und stellt Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen zur Verfügung.
Der DMN61D8LVT-7 ist ein dualer N-Kanal-Beschleunigungsmode-MOSFET im TSOT-26-Gehäuse. Er ist für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen konzipiert.
Dualer N-Kanal-MOSFET
Logikpegel-Gate
Geringe On-Widerstände
Hohe Strombelastbarkeit
Geeignet für allgemeine Schaltund Verstärkungsanwendungen
Kompaktes TSOT-26-Gehäuse
Hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften
Tafeln & Reel (TR) Verpackung
TSOT-26-Gehäuse
Oberflächenmontage
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Das DMN61D8LVT-7 ist ein aktives Produkt. Derzeit sind keine direkten äquivalenten oder alternativen Modelle verfügbar. Kunden wird empfohlen, unser Verkaufsteam über die Webseite zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
Allgemeine Schaltund Verstärkungsanwendungen
Unterhaltungselektronik
Industrielle Automatisierung
Das wichtigste Datenblatt für den DMN61D8LVT-7 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden empfehlen wir, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
DMN61D8LVTQ DIODES
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
DMN61D8L DIODES
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
DMN61D9U DIODES
DMN61D8LVT DIODES
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
DIODES SOT-23
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
DMN61D8LQ DIODES
DMN61D9UDW DIODES
DIODES SOT-23
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/16
2025/02/21
2024/08/25
2025/01/24
DMN61D8LVT-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|