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| Artikelnummer: | DMN60H3D5SK3-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 41W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 354 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | DMN60 |
| DMN60H3D5SK3-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN60H3D5SK3-13 PDF - EN.pdf |




DMN60H3D5SK3-13
Diodes Incorporated
N-Kanal 600V, 2,8A (Tc), 41W (Tc) Oberflächenmontage, TO-252, (D-Pak)
N-Kanal MOSFET
600V Drain-Source-Spannung
2,8A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
41W Leistungsaufnahme bei Tc
Oberflächenmontagegehäuse TO-252 (D-Pak)
Hohe Spannungsfestigkeit
Hohe Strombelastbarkeit
Effiziente Wärmeabfuhr
Leerrillen& Streifenverpackung (Tape & Reel)
Gehäuse: TO-252-3, D-Pak (2 Lead + Tab), SC-63
Oberflächenmontagekonfiguration
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Das Produkt ist derzeit lieferbar
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Hochleistungs-Schaltkreise
Netzteile
Motorantriebe
Industrieund Unterhaltungselektronik
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