Deutsch
| Artikelnummer: | DMN3730UFB4-7B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3311 |
| 10+ | $0.3226 |
| 30+ | $0.3184 |
| 100+ | $0.3142 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | X2-DFN1006-3 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 470mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 3-XFDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 64.3 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 750mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN3730 |
| DMN3730UFB4-7B Einzelheiten PDF [English] | DMN3730UFB4-7B PDF - EN.pdf |




DMN3730UFB4-7B
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Diodes-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der DMN3730UFB4-7B ist ein N-Kanal-MOSFET von Diodes, der für automotive und industrielle Anwendungen entwickelt wurde.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
750mA Dauer-Drain-Strom
Geringer On-Widerstand von 460mOhm
Gate-Ladung von 1,6nC
±8V Gate-Source-Spannung
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Geeignet für automotive und industrielle Anwendungen
Geringer Energieverbrauch
Kompakte Oberflächenmontagepackung
Tape & Reel (TR) Verpackung
3-XFDFN Gehäuse
Kleines X2-DFN1006-3 Footprint
Elektrische und thermische Eigenschaften, die für die Anwendung geeignet sind
Dieses Produkt ist derzeit aktiv
Entsprechende oder alternative Modelle sind auf Anfrage erhältlich
Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Automotive Elektronik
Industrielle Steuerungssysteme
Strommanagement-Schaltungen
Das zuverlässigste Datenblatt für den DMN3730UFB4-7B ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Diodes SOT-23
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
ZETEX DFN
DMN3730UFB-7B STM
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
DIODES DFN1006
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
DIODES DFN1006
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
DMN3730UFB4-7(NF) DIODES
DMN3730U D
DIODES SOT-23
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/06/10
2025/01/2
2024/01/20
2025/07/10
DMN3730UFB4-7BDiodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|