Deutsch
| Artikelnummer: | DMN33D8LT-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.065 |
| 50+ | $0.0575 |
| 150+ | $0.0538 |
| 500+ | $0.051 |
| 2500+ | $0.0488 |
| 5000+ | $0.0477 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-523 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 10mA, 4V |
| Verlustleistung (max) | 240mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-523 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 48 pF @ 5 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.55 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 115mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN33 |
| DMN33D8LT-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN33D8LT-13 PDF - EN.pdf |




DMN33D8LT-13
Diodes Incorporated - Y-IC ist ein hochwertiger Distributor für Produkte von Diodes Incorporated und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der DMN33D8LT-13 ist ein N-Kanal-MOSFET im Enhancement-Modus in einem kleinen SOT-523-Gehäuse. Er eignet sich für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 115 mA
Maximale On-Widerstand: 5 Ω
Kompaktes SOT-523-Gehäuse
Kompakte Bauweise für platzbeschränkte Designs
Geringer On-Widerstand für effiziente Schaltvorgänge
Vielseitig einsetzbar in unterschiedlichen Anwendungen
Gehäuse: SOT-523
Verpackung: Strip & Reel (TR)
Der DMN33D8LT-13 ist ein aktives Produkt, und es sind keine Pläne für eine Einstellung bekannt. Es stehen mehrere gleich- oder alternativ Modelle zur Verfügung, darunter DMN2012UFD-7, DMN3010LSD-7 und DMN3020LSS-7. Kunden können für weitere Informationen unseren Vertriebsservice auf der Webseite kontaktieren.
Schaltanwendungen
Verstärker-Schaltungen
Allgemeine elektronische Designs
Das aktuellste Datenblatt für den DMN33D8LT-13 steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den DMN33D8LT-13 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
DIODES SOT-23
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R
DMN33D8L-7 DIODES
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R
DMN3300U-7-F DIODES
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT563 T&R
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/22
2024/12/30
2025/02/27
2025/01/24
DMN33D8LT-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|