Deutsch

| Artikelnummer: | DMN3029LFG-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.1619 |
| 50+ | $0.1585 |
| 150+ | $0.1561 |
| 500+ | $0.1539 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | POWERDI3333-8 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.6mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMN3029 |
| DMN3029LFG-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN3029LFG-13 PDF - EN.pdf |




DMN3029LFG-13
Y-IC ist ein qualitativer Distributor von Diodes-Markenprodukten. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DMN3029LFG-13 ist ein N-Kanal-MOSFET in einem PowerDI3333-8 Gehäuse. Er ist für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
5,3A Dauer-Drainstrom
18,6mΩ On-Widerstand
11,3nC GateLadung
580pF Eingangskapazität
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effiziente LeistungsSchaltleistung
Geringer On-Widerstand für niedrigen Energieverlust
Kompaktes PowerDI3333-8 Gehäuse für platzkritische Designs
Vielseitig einsetzbar in Leistungsmanagement-Anwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
PowerDI3333-8 Gehäuse
8-PowerVDFN Gehäuse
Das DMN3029LFG-13 ist ein aktiviertes Produkt.
Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Website für weitere Informationen.
Leistungsmanagement
Schaltanwendungen
Verstärker
Motorenantriebe
Batterieladegeräte
Das wichtigste Datenblatt für den DMN3029LFG-13 steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot.
DMN3029LFG DIODES
DIODES SOP-8
MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
DIODES SOT252
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
DIODES SOT163
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
DMN3030LFG-13 DIODES
DMN3030LSS-13-F DIODES
DMN3027LFG DIODES
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
DMN3030LFG DIODES
DIODES POWERDI3333-8
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
DMN3030LSS DIODES
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/04/4
2025/01/21
2025/02/10
2024/06/14
DMN3029LFG-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|