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| Artikelnummer: | DMG9N65CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 165W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2310 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
| Grundproduktnummer | DMG9 |
| DMG9N65CT Einzelheiten PDF [English] | DMG9N65CT PDF - EN.pdf |




DMG9N65CT
Diodes
Der DMG9N65CT ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-MOSFET. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 650 V und einen Dauer-Drainstrom von 9 A bei 25°C Gehäusetemperatur.
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung von 650 V
– Dauer-Drainstrom von 9 A bei 25°C Gehäusetemperatur
– Niedriger On-Widerstand von 1,3Ω bei 4,5 A und 10 V
– Große Spannung- und Strombelastbarkeit
– Geringer On-Widerstand für effizienten Leistungsumschaltung
– Geeignet für vielfältige Hochleistungsanwendungen
Durchsteckgehäuse TO-220-3
Dieses Produkt ist veraltet. Ersatz- oder Alternativmodelle sind möglicherweise verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen.
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