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| Artikelnummer: | DMC1030UFDB-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.1709 |
| 50+ | $0.1672 |
| 150+ | $0.1647 |
| 500+ | $0.1622 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | U-DFN2020-6 (Type B) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Leistung - max | 1.36W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) |
| Konfiguration | N and P-Channel Complementary |
| Grundproduktnummer | DMC1030 |
| DMC1030UFDB-7 Einzelheiten PDF [English] | DMC1030UFDB-7 PDF - EN.pdf |




DMC1030UFDB-7
Diodes Incorporated
Der DMC1030UFDB-7 ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Array in einem kompakten 6-poligen U-DFN2020-6 (Typ B)-Gehäuse. Es wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Stromversorgungs- und Schaltanwendungen entwickelt.
N- und P-Kanal-komplementäres MOSFET-Array; 12V Drain-Source-Spannung (Vdss); 5,1A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C; Niedriger On-Widerstand (Rds(on)) von 34mΩ bei 4,6A, 4,5V; 1V Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(th)) bei 250μA; 12,2nC Gate-Ladung (Qg) bei 4,5V; Eingangskapazität (Ciss) von 1003pF bei 6V; Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C; Automotive-Grade AEC-Q101 qualifiziert.
Kompakte Bauform und hohe Leistungsdichte für platzbeschränkte Designs; Geringer On-Widerstand für erhöhte Effizienz; Komplementäre N-Kanal- und P-Kanal-Konfiguration für vielseitigen Einsatz in Strommanagement- und Schaltkreisen; Automobilgrad-Qualifikation für Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Taped and Reel (TR) Verpackung; 6-poliges U-DFN2020-6 (Typ B)-Gehäuse für Oberflächenmontage; Exposed Pad für verbesserte thermische Leistungsfähigkeit.
Das DMC1030UFDB-7 ist ein aktives Produkt. Zurzeit sind keine äquivalenten oder alternativen Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Stromversorgungs- und Schaltkreise; Automotive Elektronik; Industrieautomation; Steuerungssysteme.
Das offizielle Datenblatt für den DMC1030UFDB-7 steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, das Datenblatt für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den DMC1030UFDB-7 auf unserer Website an und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Angebot.
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMC1030UFDB DIODES
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
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MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
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