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| Artikelnummer: | DGD2190S8-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 2500+ | $0.7658 |
| 5000+ | $0.7374 |
| 12500+ | $0.7324 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 25ns, 20ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 4.5A, 4.5A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | DGD2190 |
| DGD2190S8-13 Einzelheiten PDF [English] | DGD2190S8-13 PDF - EN.pdf |




DGD2190S8-13
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Diodes Incorporated, einem renommierten Hersteller elektronischer Komponenten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DGD2190S8-13 ist ein Halbbrücken-IGBT- und N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber mit unabhängigen Kanälen. Er wurde entwickelt, um Hoch- und Niederseitenschalter in verschiedenen Anwendungen der Leistungselektronik zu treiben.
Halbbrücken-Konfiguration mit unabhängigen Kanälen
Treibt IGBTund N-Kanal-MOSFET-Leistungsschalter
Versorgungsspannungsbereich von 10V bis 20V
Spitzenausgangsstrom von 4,5A (Quelle und Senke)
Anstiegszeit von 25ns und Abfallzeit von 20ns
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
8-SOIC Oberflächenmontagegehäuse
Zuverlässiges und effizientes Treiben von Leistungsschaltern
Unterstützt eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen
Eignet sich für verschiedenste Anwendungen der Leistungselektronik
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzkritische Designs
Der DGD2190S8-13 ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) für die Oberflächenmontage verpackt. Das Gehäuse bietet thermische und elektrische Eigenschaften, die für die beabsichtigte Verwendung geeignet sind.
Der DGD2190S8-13 ist ein auslaufendes Produkt und wird nicht mehr aktiv produziert. Es können jedoch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Kunden werden gebeten, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam auf der Y-IC-Webseite zu wenden.
Schaltnetzteile
Motorsteuerungen
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Industrielle Automatisierungsund Steuerungssysteme
Das offizielle technische Datenblatt für den DGD2190S8-13 ist auf der Y-IC-Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Designhinweise zu erhalten.
Kunden werden gebeten, Angebote für den DGD2190S8-13 oder alternative Produkte auf der Y-IC-Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, informieren Sie sich über weitere Details oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die beste Lösung für Ihre Anwendung zu finden.
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