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| Artikelnummer: | 2N7002T-7-F |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0401 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-523 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 50mA, 5V |
| Verlustleistung (max) | 150mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-523 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 115mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | 2N7002 |
| 2N7002T-7-F Einzelheiten PDF [English] | 2N7002T-7-F PDF - EN.pdf |




2N7002T-7-F
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Der 2N7002T-7-F ist ein N-Kanal-MOSFET in SMD-Gehäuse (SOT-523). Er besitzt eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen kontinuierlichen Drain-Strom von 115 mA und einen On-Widerstand von 7,5 Ohm.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 60 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 115 mA
On-Widerstand von 7,5 Ohm
SMD-Gehäuse (SOT-523)
Zuverlässige MOSFET-Leistung
Kompaktes SMD-Gehäuse
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
SMD-Gehäuse (SOT-523)
Kompakte Größe und Pin-Konfiguration
Der 2N7002T-7-F ist ein aktives Produkt
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, darunter die 2N7002-Serie
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Verstärkerschaltungen
Stromversorgung und Energiemanagement
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