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| Artikelnummer: | IRGS4064DPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT WITH RECOVERY DIODE |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.91V @ 15V, 10A |
| Testbedingung | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 27ns/79ns |
| Schaltenergie | 29µJ (on), 200µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 62 ns |
| Leistung - max | 101 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench |
| Gate-Ladung | 32 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20 A |
| IRGS4064DPBF Einzelheiten PDF [English] | IRGS4064DPBF PDF - EN.pdf |




IRGS4064DPBF
Infineon Technologies
Der IRGS4064DPBF ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Infineon Technologies, geeignet für Leistungsschaltanwendungen.
Trench IGBT-Technologie
Sperrspannung (Kollektor-Emitter) von 600V
Maximaler Kollektorstrom von 20A
Maximaler Pulsstrom von 40A
Geringe On-State-Spannung
Effizientes Leistungsschalten
Hohe Zuverlässigkeit
Kompakte Oberflächenmontageverpackung
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontagegehäuse
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
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