Deutsch
| Artikelnummer: | IRFB3077GPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.6309 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 370W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9400 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| IRFB3077GPBF Einzelheiten PDF [English] | IRFB3077GPBF PDF - EN.pdf |




IRFB3077GPBF
Infineon Technologies, ein renommierter Distributor, der Qualität und exzellente Produkte sowie Service für Kunden bietet.
Der IRFB3077GPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Drain-Source-Spannung von 75 V und einem Dauer-Drain-Strom von 120 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C.
- N-Kanal-MOSFET
75 V Drain-Source-Spannung
120 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C Gehäusetemperatur
Sehr geringe On-Widerstand von 3,3 mΩ bei 75 A, 10 V
Hohe Leistungsaufnahme von 370 W bei Tc
- Hohe Effizienz und geringe Energieverluste
Ideal für Hochstromund Hochleistungsanwendungen
Ausgezeichnete thermische Eigenschaften
Der IRFB3077GPBF ist in einem TO-220AB (TO-220-3) Durchsteckgehäuse verpackt.
Der IRFB3077GPBF ist ein ausgemustertes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
- Schaltnetzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrieund Automobilanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den IRFB3077GPBF ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
1213+ TO220
IRFB3077 IR
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
IR TO220
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IRFB3006PBF. IR
IR TO220
IRFB3206 IR
IR TO-220AB
IR TO-220
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
IRFB3006G IR
IRFB306GPBF IR
IRFB31N20D IR
IRFB3077GPBF. IR
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/03/31
2024/04/13
2025/02/27
2025/01/27
IRFB3077GPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|