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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Infineon Technologies BSC032NE2LSATMA1

Artikelnummer: BSC032NE2LSATMA1
Hersteller / Marke: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Datenblätte:
1.BSC032NE2LSATMA.pdf ···

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  • Infineon Technologies BSC032NE2LSATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies BSC032NE2LSATMA1 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-6
    Serie OptiMOS™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
    Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 12 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 84A (Tc)
    Grundproduktnummer BSC032
    BSC032NE2LSATMA1 Einzelheiten PDF [English] BSC032NE2LSATMA1 PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
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    2026/04/28

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    2026/04/20

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

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