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| Artikelnummer: | ISL6608CBZ-T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.2039 |
| 200+ | $1.2409 |
| 500+ | $1.1967 |
| 1000+ | $1.1746 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 8ns, 8ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 22 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2A, 2A |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | ISL6608 |
| ISL6608CBZ-T Einzelheiten PDF [English] | ISL6608CBZ-T PDF - EN.pdf |




ISL6608CBZ-T
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von Renesas Electronics America und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der ISL6608CBZ-T ist ein dualer N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber mit nicht-invertierendem Eingang und Hochseit-Bootstrap-Spannungsversorgung. Er wurde für den Einsatz in Halbwellen-Schaltkreisen für die Energiewandlung entwickelt.
- Dualer N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber
- Nicht-invertierender Eingang
- Hochseit-Bootstrap-Spannungsversorgung
- Spitzenstrom von 2A (Quelle und Senke)
- Typische Anstiegs- und Abfallzeiten von 8ns
- Versorgungsspannungsbereich von 4,5V bis 5,5V
- Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 125°C
- 8-poliges SOIC-Gehäuse
- Vereinfachtes Gate-Treiber-Design für Halbwellen-Energiewandlung
- Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit schnellen Anstiegs- und Abfallzeiten
- Unterstützung eines breiten Spannungs- und Temperaturbereichs
- Tape-and-Reel-Verpackung (TR)
- 8-poliges SOIC-Gehäuse
- Gehäusebreite von 3,90 mm
Das ISL6608CBZ-T ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
- Halbwellen-Energiewandlung
- Motorsteuerung
- Schaltregler (Switch-Mode Power Supplies)
Das umfassendste technische Datenblatt für den ISL6608CBZ-T ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den ISL6608CBZ-T auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an – nur für begrenzte Zeit!
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