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| Artikelnummer: | DS1230Y-200+ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| Teil der Beschreibung.: | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.3184 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 200ns |
| Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Supplier Device-Gehäuse | 28-EDIP |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 28-DIP Module (0.600', 15.24mm) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speichergröße | 256Kbit |
| Speicherorganisation | 32K x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Grundproduktnummer | DS1230Y |
| Zugriffszeit | 200 ns |
| DS1230Y-200+ Einzelheiten PDF [English] | DS1230Y-200+ PDF - EN.pdf |




DS1230Y-200+
Analog Devices Inc. / Maxim Integrated
Der DS1230Y-200+ ist ein nichtflüchtiger 256 Kbit NVSRAM (Nichtflüchtiger SRAM) mit parallelem Speicherinterface. Das Gerät verfügt über eine Speicherorganisation von 32K x 8, eine Schreibzykluszeit von 200 ns sowie eine Zugriffszeit.
• 256 Kbit nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM)
• Speicherorganisation von 32K x 8
• Schreib- und Zugriffszeit von 200 ns
• Versorgungsspannung von 4,5 V bis 5,5 V
• Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 70°C
• Durchkontaktierte Gehäusevariante 28-DIP
• Nichtflüchtiger Speicher, der Daten auch bei Stromausfall behält
• Schnelle Lese- und Schreibzugriffe
• Breiter Spannungs- und Temperaturbereich
• Zuverlässiges Durchkontakt-Gehäuse für industrielle Anwendungen
• Röhrchenverpackung
• Gehäuse 28-DIP (0,600 Zoll, 15,24 mm)
• 28-EDIP-Fertigungsgehäuse
• Unterstützt Durchkontakt-Montage
Der DS1230Y-200+ ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie zum Beispiel den DS1230Y-120+ und den DS1230Y-150+. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
• Industrielle Steuerungssysteme
• Eingebettete Systeme
• Datenlogging und -speicherung
• Batteriebasierte Speicheranwendungen
Das offizielle Datenblatt für den DS1230Y-200+ ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, dieses herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den DS1230Y-200+ auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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DS1230Y-100IND DALLAS
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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DS1230Y-100IND+ DALLAS
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
3.3 VOLT, 256 K NONVOLATILE SRAM
DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DALLAS DIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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