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| Artikelnummer: | DS1220AB-120 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| Teil der Beschreibung.: | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 120ns |
| Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.25V |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Supplier Device-Gehäuse | 24-EDIP |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 24-DIP Module (0.600', 15.24mm) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speichergröße | 16Kbit |
| Speicherorganisation | 2K x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Grundproduktnummer | DS1220A |
| Zugriffszeit | 120 ns |
| DS1220AB-120 Einzelheiten PDF [English] | DS1220AB-120 PDF - EN.pdf |




DS1220AB-120
analog-devices
Das DS1220AB-120 ist ein nicht-flüchtiger 16Kbit SRAM (NVSRAM) mit parallelem Speicherinterface. Es bietet eine Schreibzykluszeit von 120 ns, einen Zugriffszeitraum von 120 ns und arbeitet bei Versorgungsspannungen zwischen 4,75 V und 5,25 V.
16Kbit nicht-flüchtiger SRAM (NVSRAM)
Paralleles Speicherinterface
Schreibzykluszeit von 120 ns
Zugriffszeit von 120 ns
Versorgungsspannung zwischen 4,75 V und 5,25 V
Nicht-flüchtiger Speicher speichert Daten auch ohne Strom
Schnelle Leseund Schreibzugriffszeiten
Breiter Versorgungsspannungsbereich
24-DIP Gehäuse (0,600 Zoll, 15,24 mm)
24-EDIP Gehäuse
Dieses Produkt ist veraltet.
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Zielpreis (USD)
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