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| Artikelnummer: | BLF6G10LS-135RN:11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Ampleon |
| Teil der Beschreibung.: | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $24.3729 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 28 V |
| Spannung - Nennwert | 65 V |
| Technologie | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT502B |
| Serie | - |
| Leistung | 26.5W |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-502B |
| Paket | Tray |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschmaß | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Gewinnen | 21dB |
| Frequenz | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| Aktuelle Bewertung (AMPs) | 32A |
| Strom - Test | 950 mA |
| Grundproduktnummer | BLF6G10 |
| BLF6G10LS-135RN:11 Einzelheiten PDF [English] | BLF6G10LS-135RN:11 PDF - EN.pdf |




BLF6G10LS-135RN:11
Ampleon
RF-MOSFET LDMOS 28V, 950mA, 871,5 MHz – 891,5 MHz, 21 dB Verstärkung, 26,5 W Ausgangsleistung, SOT502B-Gehäuse
LDMOS-Transistor
Betriebsspannung von 28 V
Ie 950 mA
Frequenzbereich von 871,5 MHz bis 891,5 MHz
Verstärkung von 21 dB
Ausgangsleistung von 26,5 W
Gehäusetyp SOT502B
Geeignet für RF-Leistungsverstärker
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Kompakte Bauform im SOT502B-Gehäuse
Tray-Verpackung
SOT502B-Gehäuse
Feuchtigkeitsempfindlichkeit Level (MSL): 1 (unbegrenzt)
Dieses Produkt ist nicht vom Auslauf bedroht.
Entsprechende/alternative Modelle: Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
RF-Leistungsverstärker
Funkkommunikationsgeräte
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BLF6G10LS-135RN:11Ampleon USA Inc. |
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Zielpreis (USD)
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