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| Artikelnummer: | PCFG40T65SQF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT FIELD STOP 650V WAFER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | Wafer |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Gate-Ladung | 80 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |




DIODE SCHOTTKY
RES 4.7K OHM 5% 1/2W AXIAL
IGBT PCFG40T65SHW
DIODE SIL CARBIDE 650V 30A DIE
STACKPOLE NA
DIODE SIL CARBIDE 650V 40A DIE
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 61A DIE
DIODE SIL CARBIDE 650V 60A DIE
RES 75 OHM 5% 1/2W AXIAL
RES 2.2K OHM 5% 1/2W AXIAL
PCFG60N65SMW
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 46A DIE
MOSFET N-CH
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DIE
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 50A DIE
IGBT NPT 1200V
RES 560 OHM 5% 1/2W AXIAL
DIODE SCHOTTKY
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Zielpreis (USD)
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