Deutsch
| Artikelnummer: | NVTFS5124PLTWG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3226 |
| 10+ | $0.3168 |
| 30+ | $0.3125 |
| 100+ | $0.3082 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 18W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Grundproduktnummer | NVTFS5124 |
| NVTFS5124PLTWG Einzelheiten PDF [English] | NVTFS5124PLTWG PDF - EN.pdf |




NVTFS5124PLTWG
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NVTFS5124PLTWG ist ein P-Kanal-MOSFET von onsemi. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 2,4 A bei 25 °C.
- P-Kanal-MOSFET
- Drain-Source-Spannung von 60 V
- Kontinuierlicher Drain-Strom von 2,4 A bei 25 °C
- Geringer On-Widerstand (260 mOhm bei 3 A, 10 V)
- Gate-Ladung von 6 nC bei 10 V
- AEC-Q101-zertifiziert
- Oberflächenmontagegehäuse
- Effizientes Schalten von Energie
- Geeignet für Automotive- und Industrieanwendungen
- Zuverlässige Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen
- Tape & Reel (TR) Verpackung
- 8-WDFN-Gehäuse (3,3 × 3,3 mm) für Oberflächenmontage
- Kompakte und platzsparende Bauweise
- Das Produkt NVTFS5124PLTWG ist aktiv.
- Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Website.
- Automobil-Elektronik
- Industrielle Stromversorgungen
- Motorsteuerung
- Schaltregler
Das maßgebliche Datenblatt für den NVTFS5124PLTWG steht auf unserer Website zum Download zur Verfügung. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Sonderangebot zu profitieren.
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
ON DFN33-8-EP
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
NVTFS5124PLTWGonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|