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| Artikelnummer: | NVMFS4C05NWFT3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.61W (Ta), 79W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1972 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24.7A (Ta), 116A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NVMFS4 |
| NVMFS4C05NWFT3G Einzelheiten PDF [English] | NVMFS4C05NWFT3G PDF - EN.pdf |




NVMFS4C05NWFT3G
Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor von onsemi, einem führenden Hersteller hochwertiger Halbleiterprodukte.
Der NVMFS4C05NWFT3G ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von onsemi, entwickelt für eine Vielzahl von Leistungs- und Schaltanwendungen.
30 V Drain-Source-Spannung
24,7 A Dauer-Drainstrom bei 25 °C
Geringer On-Widerstand von 3,4 mΩ
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
AEC-Q101 qualifiziert für den Automobilbereich
Hervorragende thermische Leistung für effiziente Stromumwandlung
Zuverlässiger Betrieb unter harten Umweltbedingungen
Geeignet für Hochstromund Hochleistungsanwendungen
8-PowerTDFN Gehäuse mit 5 Anschlüssen
Oberflächenmontage-Design
Kompakte Größe für platzkritische Anwendungen
Dieses Produkt ist derzeit veraltet
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