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| Artikelnummer: | NVD5117PLT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $34.7848 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 29A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 4.1W (Ta), 118W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta), 61A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NVD511 |
| NVD5117PLT4G Einzelheiten PDF [English] | NVD5117PLT4G PDF - EN.pdf |




NVD5117PLT4G
onsemi (Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Services)
Der NVD5117PLT4G ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60 V, einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 11 A bei 25 °C (Ta) oder 61 A bei 100 °C (Tc), sowie einem On-Widerstand (Rds(on)) von 16 mΩ bei 29 A und 10 V. Er ist für den Einsatz in Automobil- und Industrieanwendungen konzipiert.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 11 A bei 25 °C (Ta) bzw. 61 A bei 100 °C (Tc)
On-Widerstand (Rds(on)) von 16 mΩ bei 29 A und 10 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±20 V
Automobil-qualifiziert nach AEC-Q101
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Zuverlässigkeit und Leistung nach Automobilstandard
Der NVD5117PLT4G ist in einem TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühplatten) SC-63 Oberflächenmontagegehäuse verpackt.
Der NVD5117PLT4G ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, sich über die Y-IC-Vertriebsteam-Website über verfügbare Ersatz- oder Alternativmodelle zu informieren.
Automobilanwendungen
Industrieausrüstung
Strommanagement-Schaltungen
Motorantriebe
Schaltende Netzteile
Das umfassendste Datenblatt für den NVD5117PLT4G ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NVD5117PLT4G auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, informieren Sie sich oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot noch heute.
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