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| Artikelnummer: | NTMFS4841NHT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4283 |
| 10+ | $0.4198 |
| 30+ | $0.4141 |
| 100+ | $0.407 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 870mW (Ta), 41.7W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2113 pF @ 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 11.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.6A (Ta), 59A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTMFS4841 |
| NTMFS4841NHT1G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS4841NHT1G PDF - EN.pdf |




NTMFS4841NHT1G
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor für onsemi-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der NTMFS4841NHT1G ist ein N-Kanal-MOSFET Transistor von onsemi. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 30 V, einen Dauer-Drain-Strom von 8,6 A bei 25 °C und einen maximalen On-W resistance von 7 mΩ bei 30 A und 10 V.
– N-Kanal-MOSFET
– Drain-Source-Spannung von 30 V
– Dauer-Draid-Strom von 8,6 A bei 25 °C
– Maximaler On-Widerstand von 7 mΩ bei 30 A und 10 V
– Maximale Gate-Source-Schwellen-spannung von 2,5 V bei 250 µA
– Maximale Gate-Ladung von 33 nC bei 11,5 V
– Hohe Strombelastbarkeit
– Niedriger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
– Ideal für vielfältige Leistungsmanagement-Anwendungen
Der NTMFS4841NHT1G ist in einem 5-DFN-Gehäuse (5×6 mm) mit 8 Anschlüssen verpackt. Das Gehäuse hat eine Leistungsabgabefähigkeit von 870 mW bei 25 °C Umgebungstemperatur und 41,7 W bei 25 °C Gehäusetemperatur.
Der NTMFS4841NHT1G ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, über unsere Website Kontakt mit unserem Vertrieb aufzunehmen, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
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Das zuverlässigste technische Datenblatt für den NTMFS4841NHT1G steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden empfehlen wir, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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