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| Artikelnummer: | NTHS4101PT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9179 |
| 10+ | $0.7338 |
| 30+ | $0.6417 |
| 100+ | $0.5496 |
| 500+ | $0.495 |
| 1000+ | $0.4662 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | ChipFET™ |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 16 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.8A (Tj) |
| Grundproduktnummer | NTHS4101 |
| NTHS4101PT1G Einzelheiten PDF [English] | NTHS4101PT1G PDF - EN.pdf |




NTHS4101PT1G
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Der NTHS4101PT1G ist ein P-Kanal MOSFET von onsemi. Es handelt sich um ein Oberflächenmontageteil im ChipFET™-Gehäuse.
P-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung von 20 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 4,8 A
Maximale On-Widerstand von 34 mΩ
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Geringer On-Widerstand für effizienten Schaltschaltbetrieb
Breiter Betriebstemperaturbereich
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-SMD, Flachkontakt-Gehäuse
ChipFET™ Gehäusestil
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