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| Artikelnummer: | NTD65N03R |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A (Ta), 32A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTD65 |
| NTD65N03R Einzelheiten PDF [English] | NTD65N03R PDF - EN.pdf |




NTD65N03R
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marken AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der NTD65N03R ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einer Drain-Source-Spannung von 25V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 9,5A bei 25°C oder 32A bei Gehäusetemperatur. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand von 8,4 mΩ aus und eignet sich somit hervorragend für verschiedene Aufgaben in der Stromversorgung und Schalttechnik.
N-Kanal-MOSFET-Transistor
Drain-Source-Spannung von 25V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 9,5A bei 25°C oder 32A bei Gehäusetemperatur
Geringer On-Widerstand von 8,4 mΩ
Effizientes Leistungsmanagement und Schaltverhalten
Vielseitig einsetzbar in unterschiedlichen Anwendungen
Zuverlässiges und langlebiges Design
Gehäuse: DPAK (TO-252-3)
Verpackung: Tube
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsabgabe von 1,3W (bei Umgebungstemperatur) und 50W (bei Gehäusetemperatur)
Elektrische Eigenschaften: Vgs(th) (max) von 2V bei 250A, Gate-Ladung (Qg) (max) von 16nC bei 5V, Eingangskapazität (Ciss) (max) von 1400pF bei 20V
Das Produkt NTD65N03R ist aktiv und befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Es stehen gleichwertige oder alternative Modelle zur Verfügung, z.B. [Liste der entsprechenden Modelle].
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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Schaltanwendungen
Fahrzeugtechnik
Industrielle Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den NTD65N03R ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es dort herunterzuladen unter [Webseitenlink].
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