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| Artikelnummer: | NTD65N03RG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A (Ta), 32A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTD65 |
| NTD65N03RG Einzelheiten PDF [English] | NTD65N03RG PDF - EN.pdf |




NTD65N03RG
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der NTD65N03RG ist ein N-Kanal-Baustein mit Enhancements-Modus in einem DPAK-Gehäuse, entwickelt für die Stromversorgung und Schaltanwendungen.
N-Kanal-Baustein im Enhancements-Modus
Oberflächenmontage im DPAK-Gehäuse
Geringer On-Widerstand (RDS(on))
Schnelle Schaltzeiten
Hohe Strombelastbarkeit
Hervorragende Energieeffizienz
Zuverlässige Leistung
Einfache Integration in Stromkreise
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Verpackungsart: Tube
Gehäusetyp: TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlfahne), SC-63
Pin-Konfiguration: 2 Anschlüsse + Kühlfahne
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsaufnahme 1,3 W (Ta), 50 W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25°C 9,5 A (Ta), 32 A (Tc), RDS(on) (Max) bei Id, Vgs 8,4 Milliohm bei 30 A, 10 V, Vgs(th) (Max) bei Id 2 V bei 250 A, Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs 16 nC bei 5 V, Eingangs-Kapazitanz (Ciss) (Max) bei Vds 1400 pF bei 20 V
Das Produkt NTD65N03RG ist aktiv und befindet sich nicht in naher Einstellung bezüglich Einstellung oder Stilllegung.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Kunden können sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam auf der Website wenden.
Energiemanagement
Schaltanwendungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das autoritative Datenblatt für den NTD65N03RG ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Es wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
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