Deutsch
| Artikelnummer: | NTD5865NT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 71W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1261 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 43A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTD58 |
| NTD5865NT4G Einzelheiten PDF [English] | NTD5865NT4G PDF - EN.pdf |




NTD5865NT4G
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTD5865NT4G ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET von onsemi. Er zeichnet sich durch eine geringe On-Widerstandsfähigkeit und eine hohe Drain-Stromfähigkeit aus, was ihn ideal für eine Vielzahl von Schaltanwendungen im Leistungsbereich macht.
N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung: 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 43A
Maximaler On-Widerstand: 18mΩ
Gate-Source-Spannung: ±20V
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Breites Einsatzspektrum in Schaltanwendungen im Leistungsbereich
TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Das Modell NTD5865NT4G ist ein auslaufendes Produkt.
Es sind Ersatzoder Alternativmodelle verfügbar. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
Stromversorgungen
Motorsteuerungen
Schaltkreise
Industrielle Steuerungen
Automobile Elektronik
Das offizielle technischen Datenblatt für den NTD5865NT4G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Wir empfehlen unseren Kunden, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
NTD5867NLG ON
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
ON TO-252
NTD5867N ON
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
NTD5865NL ON
MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
NTD5867NL ON
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
ON TO-252
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
NTD5867NT4G ON
ON TO-252
VBSEMI TO-252
ON TO252
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel



2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
NTD5865NT4Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|