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| Artikelnummer: | NTD5414NT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 24A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 55W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24A (Ta) |
| Grundproduktnummer | NTD54 |
| NTD5414NT4G Einzelheiten PDF [English] | NTD5414NT4G PDF - EN.pdf |




NTD5414NT4G
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte von AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der NTD5414NT4G ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit geringem On-Widerstand, geeignet für vielfältige Anwendungen im Bereich Energiemanagement und Steuerung.
– N-Kanal-MOSFET\n– 60 V Drain-Source-Spannung\n– 24 A Dauer-Drain-Strom\n– 37 mΩ On-Widerstand\n– 48 nC Gate-Ladung\n– 1200 pF Eingangs-Kapazität\n– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C\n– Oberflächenmontage in DPAK-Gehäuse
– Hohe Leistungsfähigkeit\n– Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumsetzung\n– Vielseitig einsetzbar im Power-Management\n– Breiter Betriebstemperaturbereich
– Gehäusetyp: DPAK (TO-252-3)\n– Verpackung: Band & Reel (Tape & Reel)\n– Pin-Konfiguration: 2 Anschlüsse + Tab\n– Thermische Eigenschaften: Maximale Verlustleistung von 55 W bei Tc\n– Elektrische Eigenschaften: 60 V Drain-Source-Spannung, 24 A Dauer-Drain-Strom
Das Produkt NTD5414NT4G ist aktiv und es sind keine unmittelbaren Pläne zur Einstellung vorhanden. Es gibt mehrere gleichwertige und alternative MOSFET-Modelle von AMI Semiconductor / ON Semiconductor. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
– Netzteile\n– Motorsteuerungen\n– Beleuchtungsanwendungen\n– Industrielle und Automobil-Elektronik
Das aktuellste Datenblatt für den NTD5414NT4G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden empfehlen wir, Angebote für den NTD5414NT4G auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
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