Deutsch
| Artikelnummer: | NTB6411ANT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 72A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 217W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 77A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTB64 |
| NTB6411ANT4G Einzelheiten PDF [English] | NTB6411ANT4G PDF - EN.pdf |




NTB6411ANT4G
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTB6411ANT4G ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem Dauer-Drain-Strom von 77 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
100 V Drain-Source-Spannung
77 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
Niediger On-Widerstand von 14 mΩ
Gate-Ladung von 100 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Oberflächenmontage in D2PAK-Gehäuse
Hohe Strombelastbarkeit
Geringe Leitungsverluste
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Robust und zuverlässig in der Leistung
Der NTB6411ANT4G ist in einem D2PAK-Gehäuse (TO-263-3) für die Oberflächenmontage verpackt, das 2 Anschlüsse und eine Verbindungstafel aufweist. Das Gehäuse bietet ausgezeichnete thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit für Hochleistungsanwendungen.
Der NTB6411ANT4G ist ein auslaufendes Produkt. Kunden werden empfohlen, über unsere Website Kontakt mit unserem Vertrieb aufzunehmen, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerungen
Industrielle Elektronik
Automobilelektronik
Das offizielle technische Datenblatt für den NTB6411ANT4G ist auf unserer Website verfügbar. Kunden sollten es herunterladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Website Angebote für den NTB6411ANT4G anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot!
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
VBSEMI D2PAK
NTB6411AN ON
MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK
NTB6413AN ON
MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
NTB6410AN ON
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
NTB6412AN ON
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
NTB6411ANT4Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|