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| Artikelnummer: | NTB18N06LT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.5A, 5V |
| Verlustleistung (max) | 48.4W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTB18 |
| NTB18N06LT4G Einzelheiten PDF [English] | NTB18N06LT4G PDF - EN.pdf |




NTB18N06LT4G
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor für Produkte der Marke onsemi und bietet seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTB18N06LT4G ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 15 A bei 25 °C. Er verfügt über einen maximalen On-Widerstand von 100 mΩ bei 7,5 A und 5 V Gate-Source-Spannung.
N-Kanal-MOSFET
60 V Drain-Source-Spannung
15 A Dauer-Drahtstrom
Maximaler On-Widerstand von 100 mΩ
Maximale Gate-Ladung von 20 nC
Niedriger On-Widerstand für effizientes Schalten von Leistung
Hohe Strombelastbarkeit
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronik-Anwendungen
Oberflächenmontagegehäuse: TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper)
Thermische Eigenschaften: Maximaler Leistungsumsatz von 48,4 W
Elektrische Eigenschaften: ±10 V maximale Gate-Source-Spannung
Der NTB18N06LT4G ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schaltregler
Das zuverlässigste Datenblatt für den NTB18N06LT4G steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
NTB18N0G ONS
ON TO-262
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
NTB13N10T4 ON
ON SOT-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
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ON TO-263
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NTB18N06LT4Gonsemi |
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Zielpreis (USD)
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