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| Artikelnummer: | NSTB1002DXV5T1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 40V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-553 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
| Leistung - max | 500mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-553 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 200mA |
| Grundproduktnummer | NSTB10 |
| NSTB1002DXV5T1 Einzelheiten PDF [English] | NSTB1002DXV5T1 PDF - EN.pdf |




NSTB1002DXV5T1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden erstklassige Produkte und Serviceleistungen.
Der NSTB1002DXV5T1 ist ein bipolaren (BJT) Transistor-Array, vor-biased, von onsemi. Er besteht aus einem NPN- und einem PNP-vor-biased Transistor, ideal für verschiedenste Schaltungen.
Bipolare (BJT) Transistor-Arrays, vor-biased; 1 NPN-Vor-biased Transistor; 1 PNP-Vor-biased Transistor; Max. Kollektorstrom (Ic): 100 mA bzw. 200 mA; Max. Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 50 V bzw. 40 V; Basiswiderstand (R1): 47 kΩ; Emitter-Basis-Widerstand (R2): 47 kΩ; Minimale Verstärkung (hFE): 80 bei 5 mA, 10 V / 100 bei 1 mA, 10 V; Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)): 250 mV bei 300 µA, 10 mA / 400 mV bei 5 mA, 50 mA; Max. Kollektorabschaltstrom (ICBO): 500 nA; Übergangsfrequenz (fT): 250 MHz; Max. Leistungsaufnahme (PD): 500 mW.
Vor-biased für einfache Schaltungsimplementierung; Hoher Verstärkungsfaktor und niedrige Sättigungsspannung; Kompakte Oberflächenmontage-Verpackung.
Gehäuse: SOT-553; Geräte-Verpackung: SOT-553.
Dieses Produkt ist veraltet. Es können Ersatz- oder Alternativmodelle verfügbar sein. Bitte wenden Sie sich an unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen.
Vor-biased bipolare Transistoranwendungen; Kleine Signalerweiterer; Schalter; Logikschaltungen.
Das offizielle Datenblatt für den NSTB1002DXV5T1 finden Sie auf unserer Webseite. Es wird empfohlen, dieses herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
TRANS NPN 45V 0.1A 3X2DFN
NSTB1002DXV5 - DIGITAL BJT 1 NPN
NST856BF3 - TRANS BJTS PNP 65V 1
NSTB60BDW1 - DIGITAL BJT 1 NPN P
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
TRANS PNP 45V 0.1A SOT1123
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
TRANS NPN 30V 0.1A SOT1123
TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
TRANS PNP 65V 0.1A SOT1123
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
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NSTB1002DXV5T1onsemi |
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Zielpreis (USD)
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