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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNJVMJD41CT4G-VF01
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
NJVMJD41CT4G-VF01 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor NJVMJD41CT4G-VF01

Artikelnummer: NJVMJD41CT4G-VF01
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor/onsemi
Teil der Beschreibung.: TRANS NPN 100V 6A DPAK-4
Datenblätte:
1.NJVMJD41CT4G-VF.pdf ···

NJVMJD41CT4G-VF01 Seite PDF

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  • AMI Semiconductor / ON Semiconductor NJVMJD41CT4G-VF01 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie AMI Semiconductor / ON Semiconductor NJVMJD41CT4G-VF01 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100V
    VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
    Transistor-Typ NPN
    Supplier Device-Gehäuse DPAK
    Standardpaket 2,500
    Serie -
    Leistung - max 1.75W
    Teilstatus Active
    Verpackung Tape & Reel (TR)
    Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Andere Namen NJVMJD41CT4G
    NJVMJD41CT4G-ND
    NJVMJD41CT4G-VF01-ND
    NJVMJD41CT4G-VF01OSTR
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart Surface Mount
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
    Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
    Frequenz - Übergang 3MHz
    detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 3MHz 1.75W Surface Mount DPAK
    DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 15 @ 3A, 4V
    Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 6A
    Basisteilenummer MJD41
    NJVMJD41CT4G-VF01 Einzelheiten PDF [English] NJVMJD41CT4G-VF01 PDF - EN.pdf
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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

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    2026/04/8

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