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| Artikelnummer: | NCP5304DR2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.0334 |
| 10+ | $1.9887 |
| 30+ | $1.9584 |
| 100+ | $1.9281 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 85ns, 35ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 250mA, 500mA |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | NCP5304 |
| NCP5304DR2G Einzelheiten PDF [English] | NCP5304DR2G PDF - EN.pdf |




NCP5304DR2G
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NCP5304DR2G ist ein dualer Hochgeschwindigkeits-Gatortreiber, der für die Ansteuerung von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren (IGBTs) oder N-Kanal-MOSFETs in Halbbrücken-Stromwandleranwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch eine hohe Spannungsbelastbarkeit, kurze Verzögerungszeiten sowie eine hohe Strombereitstellung beim sourcing und sinking aus.
Doppelter Halbbrücken-Gatortreiber
Hohe Spannungsfähigkeit bis zu 600V
Hohe Sourcingund Sinking-Stromstärke (250mA/500mA)
Schnelle Anstiegsund Abfallzeiten (85ns/35ns)
Spannungsversorgung im Bereich von 10V bis 20V
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 125°C
Oberflächenmontierter 8-SOIC-Gehäuse
Ideal zur Ansteuerung von IGBTs oder N-Kanal-MOSFETs in Halbbrücken-Stromwandleranwendungen
Hochgeschwindigkeitsund Hochstromfähigkeit für effizientes Schalten
Breiter Betriebsspannungsund Temperaturbereich für vielfältige Anwendungen
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzsparende Designs
Der NCP5304DR2G ist in einem Standard-8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) verpackt. Er wird in Tapes- und Reel-Form geliefert.
Der NCP5304DR2G ist ein aktives Produkt. Derzeit sind keine direkten Ersatzteile oder Alternativmodelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
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Das aktuelle Datenblatt für den NCP5304DR2G steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
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