onsemi MUN2236T1

Herstellerteilenummer

MUN2236T1

Hersteller

Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.

Detaillierte Beschreibung

Der MUN2236T1 ist ein bipolarer (BJT) einzelner, vorgespeicherter Bipolartransistor von onsemi. Es handelt sich um einen NPN-Vorgespeicherten Transistor mit einer Vielzahl von Spezifikationen, die für unterschiedliche Anwendungen geeignet sind.

Schlüsselmerkmale

NPN Vorgespeicherter Transistor\nKollektorstrom (Ic) (Max): 100 mA\nKollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch (Max): 50 V\nBasiswiderstand (R1): 100 kOhm\nEmitter-Base-Widerstand (R2): 100 kOhm\nDC-Stromverstärkung (hFE) (Min): 80 bei 5 mA, 10 V\nKollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Max): 250 mV bei 300 µA, 10 mA\nKollektorabschaltstrom (Max): 500 nA\nVerlustleistung (Max): 338 mW

Wichtigste Vorteile

Vorgespeichertes Design vereinfacht die Schaltungsentwicklung\nBreites Spannungsund Strombereich für vielseitige Einsatzmöglichkeiten\nKompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzsparende Designs\nZuverlässige und hochwertige Produkte von onsemi

Verpackung

Package/Gehäuse: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3\nLieferantengehäuse: SC-59

Lebenszyklus

Dieses Produkt ist veraltet.\nKunden werden gebeten, sich über unsere Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Verstärkerschaltungen\nSchaltkreise\nBias-Schaltungen\nAllgemeine Elektronikgeräte

Datenblatt

Das maßgebliche Datenblatt für den MUN2236T1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.

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