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| Artikelnummer: | MTP50P03HDLG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| Grundproduktnummer | MTP50 |
| MTP50P03HDLG Einzelheiten PDF [English] | MTP50P03HDLG PDF - EN.pdf |




MTP50P03HDLG
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Der MTP50P03HDLG ist ein P-Kanal-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse. Entwickelt für Hochleistungs-Schalt- und Verstärkungsanwendungen.
P-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
50A Dauer-Durchlassstrom
25mΩ On-Widerstand
100nC Gate-Ladung
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für effizienten Betrieb
Weitreichender Temperaturbereich für vielseitige Anwendungen
TO-220 Durchsteckgehäuse
Geeignet für Hochleistungsund Hochstromanwendungen
Bietet Thermaldissipation und elektrische Eigenschaften für zuverlässigen Betrieb
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