onsemi MMBT5550LT3G

Herstellerteilenummer

MMBT5550LT3G

Hersteller

Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Services.

Detaillierte Beschreibung

Der MMBT5550LT3G ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT) in einem Oberflächenmontage-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236). Es ist Teil der Produktreihe MMBT5550, die für ihre Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit bekannt ist.

Schlüsselmerkmale

– Kollektorstrom (Ic) bis zu 600 mA

– Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (BVCEO) bis zu 140 V

– Geringe Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 250 mV bei 5 mA und 50 mA

– Kollektorausgangsstrom (ICBO) bis zu 100 nA

– DC-Verstärkung (hFE) mindestens 60 bei 10 mA und 5 V

– Verlustleistung bis zu 225 mW

– Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

Wichtigste Vorteile

– Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen aufgrund hoher Spannungs- und Stromwerte

– Hervorragende elektrische Eigenschaften für eine zuverlässige Leistung

– Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse für platzbezogene Herausforderungen in Designs

Verpackung

– Tafeln und Reel (TR) Verpackung

– SOT-23-3 (TO-236) Oberflächenmontage-Gehäuse

– Kleines Gehäuseformat für hochdichte Leiterplattenlayouts

– Bleifreie und RoHS-konforme Fertigung

Lebenszyklus

– Der MMBT5550LT3G ist ein aktives Bauteil.

– Es gibt mehrere gleichwertige oder alternative Modelle, wie z.B. MMBT3904 und MMBT3906.

– Für weitere Informationen zu Lebenszyklen und Alternativen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Website.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Verstärker

– Schalter

– Logikgatter

– Treiber-Schaltungen

– Allgemeine Anwendungen in der Elektronik

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den MMBT5550LT3G kann auf unserer Webseite heruntergeladen werden.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.