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| Artikelnummer: | MMBD352WT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0903 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Spitzensperr- (max) | 7V |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-70-3 (SOT323) |
| Serie | - |
| Widerstand @ If, F | - |
| Verlustleistung (max) | 200 mW |
| Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Diodentyp | Schottky - 1 Pair Series Connection |
| Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | MMBD352 |
| MMBD352WT1G Einzelheiten PDF [English] | MMBD352WT1G PDF - EN.pdf |




MMBD352WT1G
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Der MMBD352WT1G ist ein Schottky-Diodenpaar in Reihenschaltung mit einer Sperrspannung von 7 V und einer Kapazität von 1 pF bei 0 V und 1 MHz. Er hat eine maximale Leistungsaufnahme von 200 mW und kann in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben werden.
Schottky-Diodenpaar in Reihenschaltung
Sperrspannung von 7 V
Kapazität von 1 pF bei 0 V und 1 MHz
Maximale Leistungsaufnahme von 200 mW
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Kompakte SC-70 (SOT-323) Gehäuse
Geringe Kapazität und Reihenschlusswiderstand
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen
Tube & Reel (TR) Verpackung
Gehäuse SC-70 (SOT-323)
Das Produkt MMBD352WT1G ist aktiv
Derzeit sind keine gleichwertigen oder alternativen Modelle bekannt
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Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Hochfrequenzund Mikrowellenschaltungen
Mischerund Detektorschaltungen
Das offiziellste Datenblatt für den MMBD352WT1G ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
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