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| Artikelnummer: | MJE253G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PNP 100V 4A TO126 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.251 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-126 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 1.5 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-225AA, TO-126-3 |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Frequenz - Übergang | 40MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 200mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 4 A |
| Grundproduktnummer | MJE253 |
| MJE253G Einzelheiten PDF [English] | MJE253G PDF - EN.pdf |




MJE253G
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MJE253G ist ein bipolarer (BJT) Einzeltransistor von onsemi. Es handelt sich um einen PNP-Transistor mit einem maximalen Kollektorstrom von 4A, einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von 100V und einer maximalen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 600mV bei 100mA und 1A Kollektorstrom.
PNP-Transistortyp
Maximaler Kollektorstrom von 4A
Maximale Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von 100V
Maximaler Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 600mV bei 100mA und 1A Kollektorstrom
Mindeste DC-Stromverstärkung von 40 bei 200mA und 1V Kollektor-Emitter-Spannung
Maximaler Kollektorabschaltstrom von 100nA
Maximale Leistungsaufnahme von 1,5W
Umschaltfrequenz von 40MHz
Betriebstemperaturbereich von -65°C bis 150°C
Hohe Strombelastbarkeit
Hohe Durchbruchspannung
Geringe Sättigungsspannung
Gute Stromverstärkung
Weit gefasster Betriebstemperaturbereich
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronikund Verstärkeranwendungen
Der MJE253G ist in einer TO-225AA- oder TO-126-3-Durchsteckgehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit für den Transistor.
Der MJE253G ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie den MJE243G und MJE3055T. Kunden können unsere Vertriebsteam über die Webseite kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
Leistungsverstärker
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltregler
Audio-Leistungsverstärker
Das zuverlässigste Datenblatt für den MJE253G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Spezifikationen und technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den MJE253G auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
MJE253. ON
NXP TO-126
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