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| Artikelnummer: | MJD3055T4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 60V 10A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4514 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Leistung - max | 1.75 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 2MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 4A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 10 A |
| Grundproduktnummer | MJD3055 |
| MJD3055T4G Einzelheiten PDF [English] | MJD3055T4G PDF - EN.pdf |




MJD3055T4G
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der MJD3055T4G ist ein Hochleistungs-NPN-Bipolartransistor (BJT) in einem Oberflächenmontagegehäuse vom Typ DPAK. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen konzipiert.
Hohe Strombelastbarkeit: bis zu 10A Kollektorstrom und 1,75W Leistungsaufnahme\nGroßer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: bis zu 60V\nNiedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 8V bei 3,3A, 10A\nHoher DC-Stromverstärkungsfaktor: mindestens 20 bei 4A, 4V\nHochfrequenzübergang: 2MHz
Effizientes Leistungs-Schalten und Steuern\nZuverlässige Leistung bei Hochstromanwendungen\nKompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzsparende Designlösungen\nGeeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronikund Steuerkreisen
Der MJD3055T4G ist in einem TO-252-3 (DPAK) Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Er verfügt über 2 Anschlussleitungen und eine Anschlusslasche für elektrische und thermische Verbindungen. Die Gehäuseabmessungen und Pinbelegung sind im Datenblatt aufgeführt.
Der MJD3055T4G ist ein aktives Produkt. Es sind entsprechende oder alternative Modelle erhältlich, beispielsweise der MJD3055T4G-ND. Kunden werden empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über unsere Webseite zu wenden.
Netzteile\nMotorantriebe\nSchaltregler\nVerstärker\nIndustrieund Fahrzeugelektronik
Das zuverlässigstes Datenblatt für den MJD3055T4G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden sollten das Datenblatt herunterladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Wir empfehlen Kunden, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über den MJD3055T4G und weitere Produkte von onsemi.
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