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| Artikelnummer: | HGTG30N60A4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 75A TO247-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $16.566 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 30A |
| Testbedingung | 390V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 25ns/150ns |
| Schaltenergie | 280µJ (on), 240µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 463 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 225 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 75 A |
| Grundproduktnummer | HGTG30 |
| HGTG30N60A4 Einzelheiten PDF [English] | HGTG30N60A4 PDF - EN.pdf |




HGTG30N60A4
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der HGTG30N60A4 ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi, einem führenden Hersteller von Halbleiterprodukten. Dieser IGBT ist für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert.
Hohe Spannungsfestigkeit (Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 600V)
Hoher Strom (Kollektorstrom von 75A, pulssicherer Kollektorstrom von 240A)
Geringe On-Spannung (2,6V bei 15V, 30A)
Schnelle Schaltzeiten (Ein-Schaltzeit 25ns, Abschaltzeit 150ns)
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Durchsteckgehäuse (TO-247-3)
Hervorragende Leistung bei Hochleistungsanwendungen
Zuverlässiges und langlebiges Design
Effiziente Stromwandlung
Einfache Integration in Leistungselektroniksysteme
Der HGTG30N60A4 ist in einem Durchsteckgehäuse vom Typ TO-247-3 verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Parameter, was es für Hochleistungsanwendungen geeignet macht.
Das Produkt HGTG30N60A4 ist veraltet und befindet sich nicht mehr in aktiver Produktion. Es können jedoch gleichwertige oder alternative Modelle von onsemi erhältlich sein. Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam über unsere Website zu kontaktieren, um Informationen zu geeigneten Ersatzmodellen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den HGTG30N60A4 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale detailliert einzusehen.
Kunden werden geraten, Angebote für den HGTG30N60A4 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem limitierten Angebot zu profitieren und die Verfügbarkeit dieses hochwertigen IGBTs von onsemi sicherzustellen.
UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
FAIRCHILD TO-247
IGBT 600V 60A TO247-3
IGBT 600V 75A 463W TO247
HGTG30N120CN FAIRCHILD
IGBT 600V 60A 208W TO247
FAIRCHILD TO-247
40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
600 V, NPT IGBT
UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
ON TO-247
IGBT 600V 75A 463W TO247
HGTG30N120D2 FAIRCHILD
40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
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