onsemi HGTG20N60C3D

Herstellerteilenummer

HGTG20N60C3D

Hersteller

Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der HGTG20N60C3D ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), der für den Einsatz in verschiedenen Leistungskonvertierungs- und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt wurde.

Schlüsselmerkmale

– Spannungs– Kollektor-Emitter Durchbruchspannung (Max): 600 V

– Strom – Kollektor (Ic) (Max): 45 A

– Pulsstrom – Kollektor (Icm): 300 A

– Vce(on) (Max) bei Vge, Ic: 1,8 V bei 15 V, 20 A

– Max. Leistung: 164 W

– Schaltenergie: 500 µJ (ein), 500 µJ (aus)

– Eingangstyp: Standard

– Gate-Ladung: 91 nC

– T_on/off (bei 25°C): 28 ns / 151 ns

– Reverse Recovery Time (trr): 55 ns

– Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)

Wichtigste Vorteile

– Robuste und zuverlässige Leistung

– Effiziente Leistungsschaltung

– Geeignet für eine Vielzahl von Leistungskonvertierungs- und Motorsteuerungsanwendungen

Verpackung

Der HGTG20N60C3D ist in einem TO-247-3 Durchsteck-gehäuse erhältlich.

Lebenszyklus

Der HGTG20N60C3D ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unser Verkaufsteam über unsere Website zu kontaktieren, um Informationen über vergleichbare oder alternative Modelle zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Leistungskonvertierung

– Motorsteuerung

– Industrielle Anwendungen

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den HGTG20N60C3D ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen.

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