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| Artikelnummer: | FQPF12P10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.3871 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 4.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 38W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.2A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQPF1 |
| FQPF12P10 Einzelheiten PDF [English] | FQPF12P10 PDF - EN.pdf |




FQPF12P10
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Fairchild Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQPF12P10 ist ein P-Kanal-MOSFET aus der QFET®-Serie von Fairchild Semiconductor. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 100V und einen Dauer-Drain-Strom von 8,2A bei 25°C.
P-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 100V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 8,2A bei 25°C
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) von 10V
Maximale On-Widerstand (Rds On) von 290 mOhm bei 4,1A, 10V
Maximaler Gate-Source-Schwellwert (Vgs(th)) von 4V bei 250µA
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 27nC bei 10V
Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±30V
Maximale Eingangskapazität (Ciss) von 800pF bei 25V
Maximale Leistungsaufnahme von 38W bei Tc
Zuverlässiger und leistungsstarker P-Kanal-MOSFET
Vielseitig einsetzbar in der Energieverwaltung
Hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften
Robuste und langlebige Konstruktion
Der FQPF12P10 ist in einem TO-220-3 Vollverpackungsgehäuse erhältlich, einem Through-Hole-Montagegehäuse vom Typ TO-220F-3.
Der FQPF12P10 ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über die Y-IC-Website zu kontaktieren, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
Stromversorgungssteuerungen
Motorsteuerung
Ladeund Entladevorgänge bei Batterien
Spannungsregulierung
Schaltende Netzteile
Das offizielle technische Datenblatt für den FQPF12P10 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FQPF12P10 auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
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