Deutsch
| Artikelnummer: | FQD2N80TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1258 |
| 10+ | $0.9533 |
| 30+ | $0.8579 |
| 100+ | $0.751 |
| 500+ | $0.704 |
| 1000+ | $0.6826 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQD2N80 |
| FQD2N80TM Einzelheiten PDF [English] | FQD2N80TM PDF - EN.pdf |




FQD2N80TM
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQD2N80TM ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET von onsemi, der für eine Vielzahl von Anwendungen eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit bietet.
N-Kanal-MOSFET
800 V Drain-Source-Spannung
1,8 A Dauer-Drain-Strom
Niediger On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsdichte
Robuste Bauweise für zuverlässigen Betrieb
Effiziente Energieumwandlung
Kompakt und platzsparend
Der FQD2N80TM wird im TO-252-3 Gehäuse, DPAK (2 Anschlüsse + Kühltab), SC-63 Oberflächenmontage-Verpackung geliefert.
Der FQD2N80TM ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über unsere Website bezüglich kompatibler oder alternativer Modelle zu kontaktieren.
Netzteile
Motorantrieb
Industrielle Steuerungen
Automobilsoftware
Das offizielle Datenblatt für den FQD2N80TM ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FQD2N80TM über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unser zeitlich begrenztes Angebot.
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
FQD2N80TM-NL FAIRCHILD
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
FQD2N80 Fairchi
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
FQD2N65C VB
MOSFET N-CH 600V 1.9A
FAIRCHILD TO-252-2
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
FQD2N90 Fairchi
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
ON TO-252
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/17
2024/04/27
2025/06/18
2025/01/26
FQD2N80TMonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|