Deutsch
| Artikelnummer: | FQA11N90C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 11A TO3P |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.216 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQA1 |
| FQA11N90C Einzelheiten PDF [English] | FQA11N90C PDF - EN.pdf |




FQA11N90C
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQA11N90C ist ein Hochspannungs- und Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von onsemi. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 900V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 11A bei 25°C Gehäusetemperatur.
N-Kanal-MOSFET
900V Drain-Source-Spannung
11A kontinuierlicher Drain-Strom
Geringe On-Widerstände
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsfähigkeit
Geeignet für Hochspannungsund Hochleistungsanwendungen
Hervorragende Effizienz und Leistung
Zuverlässig und langlebig
Der FQA11N90C ist in einem TO-3P-3, SC-65-3 Durchsteckgehäuse verpackt.
Das Produkt FQA11N90C ist veraltet. Kunden wird empfohlen, unser Verkaufsteam über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
Hochspannungsnetzteile
Motorsteuerung
Automobiltechnik
Industrielle Leistungselektronik
Das autoritativste Datenblatt für den FQA11N90C ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote über unsere Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an!
FQA11N90_F109 Fairchild/ON Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
FQA12N60C Original
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
FAIRCHILD TO-3P
ON TO-3PF
FQA10N80C_F109 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
FSC TO-3P
FQA11N40 FSC
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/02/13
2025/01/9
2025/06/24
2025/01/2
FQA11N90Consemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|